195251, St. Petersburg,
Polytechnicheskaya, 29, Scientific-Research complex, room В.3.17.
+7 (921) 971-7617 (10 - 18 )
ntv-nauka@spbstu.ru

Емельянов В.М., Калюжный Н.А., Минтаиров М.А., Минтаиров С.А., Шварц М.З., Лантратов В.М.

Оптимизация концентраторных трехпереходных солнечных элементов

 «»

Исследовано влияние параметров эпитаксиальной структуры каскадных солнечных элементов GalnP/ GalnAs/Ge на эффективность преобразования концентрированного солнечного излучения. Показано, что оптимальный выбор толщин и уровней легирования эмиттеров субэлементов GalnP и GalnAs позволяет повысить кпд солнечных элементов до 4 %.

: 1850 : 0