195251, St. Petersburg,
Polytechnicheskaya, 29, Scientific-Research complex, room В.3.17.
+7 (921) 971-7617 (10 - 18 )
ntv-nauka@spbstu.ru

Верховцев А.В., Король А.В., Соловьёв А.В.

Теоретическое исследование электронных возбуждений при фотоионизации наноразмерных углеродных соединений

 «»

Представлены результаты исследования электронных возбуждений, возникающих при фото-ионизации различных углеродных наносистем. В качестве примера рассмотрен ряд высокосимметричных фуллеренов, а именно молекулы C20, C60 и C80, а также ароматические углеводороды: бензол C6H6 и коронен C24H12. Расчеты проведены в рамках модельного подхода, основанного на плазмонном резонансном приближении, а также с использованием квантовохимических методов из первых принципов. Сравнительный анализ результатов показывает, что основной вклад в сечение фотоионизации углеродных наносистем вносят плазмоны – коллективные возбуждения делокализованных электронов. Результаты модельного расчета находятся в хорошем согласии с результатами более точных вычислений, а также согласуются с имеющимися экспериментальными данными.

: 1744 : 0

Верховцев А.В., Полозков Р.Г., Иванов В.К., Король А.В., Соловьёв А.В.

Исследование электронной структуры эндофуллеренов инертных газов

 «»

Представлены результаты впервые реализованного самосогласованного расчета электронной структуры эндоэдральных фуллеренов, выполненного в рамках приближения Хартри — Фока, на примере комплексов Не@С60, Ne@C60 и Аг@С60. Проведено исследование влияния обменного межэлектронного взаимодействия на гибридизацию орбиталей эндофуллеренов.

: 1855 : 0

Полозков Р.Г., Иванов В.К., Сушко Г.Б., Король А.В., Соловьёв А.В.

Каналирование ультрарелятивистских позитронов в изогнутых кристаллах алмаза

 «»

В работе представлены результаты численного моделирования процесса каналирования ультрарелятивистских позитронов в прямых и изогнутых кристаллах алмаза. Траектории заряженных частиц внутри кристаллов вычислены с использованием недавно разработанного модуля пакета прикладных программ – MBN Explorer package. Получены параметры каналирования и спектры излучения позитронов, падающих с энергией 855 МэВ вдоль кристаллографической плоскости (110) для различных радиусов кривизны кристалла.

: 1153 : 0

Сушко Г.Б., Король А.В., Соловьёв А.В.

Распространение электронов и позитронов в прямых и периодически изогнутых плоскостных и аксиальных каналах в монокристаллах кремния

 «»

В статье представлены результаты численных расчетов плоскостного и аксиального типов каналирования электронов и позитронов в прямых и периодически изогнутых каналах в монокристаллах кремния. Расчет траекторий частиц учитывал их взаимодействия с соседними атомами кристалла и выполнялся с помощью пакета программ MBN Explorer. Использованный подход позволил сравнивать характеристики плоскостного и аксиального типов каналирования. Результаты расчетов показали, что длина деканалирования и число каналирующих частиц заметно ниже в аксиальном случае. Для последнего изучена зависимость характеристик процесса от выбора направлений оси и изгиба кристалла.

: 936 : 0

Сушко Г.Б., Король А.В., Соловьёв А.В.

Моделирование малоамплитудного кристаллического ондулятора на основе электронов и позитронов с энергией 20 ГэВ

 «»

В статье приводятся результаты численного моделирования малоамплитудного кристаллического ондулятора на основе электронов и позитронов с энергией 20 ГэВ. Расчеты были проведены с использованием пакета программ MBN Explorer, учитывающего взаимодействие налетаюших частиц с кристаллом на атомарном уровне. Рассмотрен случай тонких кристаллических мишеней, толщина которых не превышает характерного периода осцилляции частиц при каналировании. Предложена схема получения интенсивного излучения высоких энергий, на основе малоамплитудного ондуля- тора, которая позволяет снизить уровень фонового излучения.

: 934 : 0